Das BMBF Projekt PlaN B adressiert die gepulste Plasmadeposition als neue Technologie zur Herstellung von III/V Halbleitern. Die Technologie verspricht potentiell eine schnelle und effiziente Herstellung von zukünftigen LED`s bei niedrigen Temperaturen und verschiedenen Materialkombinationen.
Heutige LED`s werden mithilfe der metallorganischen Gasphasenepitaxie hergestellt. Die aufwändige Prozesstechnologie kann nicht einfach hochskaliert werden und damit können die Herstellungskosten der Bauelemente nicht mehr deutlich reduziert werden. Die zu erforschende Depositionstechnologie ist skalierbar und ermöglicht es potenziell die Kosten deutlich zu reduzieren. Der Prozess macht einen weiten Temperaturbereich zugänglich und ermöglicht vor allem neue Anwendungen bei niedriger Wachstumstemperatur. Es können neue, temperaturempfindliche Substrate eingesetzt werden und z.B. InGaN Quantentröge mit sehr hohen In-Anteil hergestellt werden.
Kontakt:
Prof. Andreas Waag
Institut für Halbleitertechnik (IHT)
Technische Universität Braunschweig
Tel.: +49-(0)531/391-3774
E-Mail: a.waag@tu-bs.de