TU Braunschweig, Institut für Halbleitertechnik
Hans-Sommer-Straße 66
38106 Braunschweig
Tel. 0531 391-3779
Fax 0531 391-5844
Arbeitsgebiete:
Publikationen:
Researcher Profile at Google Scholar
Lehre:
2D Materialien (in Kooperation mit der PTB Braunschweig)
Lebenslauf:
Andrey Bakin erhielt den Diplom-Ingenieur und die Dr.-Würde der Elektrotechnischen Universität St.-Petersburg ETU "LETI", Russland in den Jahren 1981 bzw. 1985.
Bis 1988 untersuchte er dort das Wachstum von IV/VI-Verbindungshalbleitern und entwickelte IR-Sensoren. Für ein Jahr (1988-1989) und drei Monate (1993) arbeitete er im Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität Braunschweig am gitterfehlangepassten Wachstum von III/V-Halbleitern auf Silizium. Von 1989 bis 1994 beschäftigte er sich als Postdoc und Assistant Professor an der Elektrotechnischen Universität St.-Petersburg mit dem Sublimationswachstum von SiC-Kristallen. Von 1994 bis 1995 untersuchte er verschiedene Verfahren des SiC-Wachstums (HTCVD, CVD, Sublimation) in der Abteilung für Physik und Messtechnik der Universtät Linköping, Schweden. Bis 1998 nahm er danach wieder die Arbeiten am SiC-Sublimationswachstum in St. Petersburg als Associate Professor auf. Seit 1998 ist er im Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität Braunschweig. 2004 - erfolgreiche Habilitation. Dort arbeitet er an der Kristallzucht von II/VI-, III/V-, III/N- und IV/IV-Verbindunsghalbleitern mittels VPE, MBE, MOVPE, PEALD und chemischen Methoden für die Anwendung in Mikro- und Optoelektronik, Sensorik, nachhaltige Energieumwandlung.
Habilitation
Publikationen:
Organophosphonate Functionalization of Al2O3-Coated Nanopores. 2019, DOI: 10.1109/NEMS.2019.8915589