Sputteranlage

Die Sputteranlage ermöglicht die sogenannte Kathodenzerstäubung. Mit diesem Verfahren können flache Substrate (meist Wafer) durch ein Argon-Plasma mit metallischen und nicht-metallischen Beschichtungen versehen werden.

Flächige, runde Substrate bis zu einem Durchmesser von max. 10 cm (und ca. 5 mm Dicke) können beschichtet werden. Diese müssen vakuum- und reinraumtauglich sein.

Je nach Material können Schichtdicken von bis zu 1 µm abgeschieden werden. Im zentralen Bereich des Substrathalters wird eine Schichtdickenvariationen von unter 5 % erreicht. Bei voller Ausnutzung der maximalen Substratfläche sind prinzipbedingt Abweichungen zwischen Substrat-Mitte und Rand von bis zu 30 % möglich.