PECVD-Anlage

Mit der am IMT vorhandenen PECVD-Anlage (Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition) lassen sich Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten auf einer Oberfläche als Isolations- und Maskier Schichten abscheiden. In einer abwechselnden Schichtreihenfolge der beiden Schichten können ferner intrinsische Spannungen reduziert und „Low-Stress“ Schichten für Membranen oder Cantilever realisiert werden. Hierbei wird die chemische Abscheidung durch ein Plasma unterstützt, wodurch vergleichsweise nur geringe Prozesstemperaturen benötigt werden, sodass auch Beschichtungen niedrig schmelzender Metalle (z.B. Aluminium) möglich sind.

Um Siliziumdioxid herzustellen, finden die Prozessgase Silan (SiH4) und Distickstoffmonoxid (N2O) Einsatz. Zur Herstellung von Siliziumnitrid werden Silan und Ammoniak (NH3) verwendet. Die entsprechenden Gase werden über die zentrale Gaseversorgung mittels Mass Flow Controllern (MFC) kontrolliert in die Prozesskammer eingeleitet. In der Prozesskammer herrscht ein typischer Arbeitsdruck von etwa 650 mTorr.  Die eingeleiteten Gase werden durch RF-Anregung mit 13,56 MHz ionisiert. Die im Plasmazustand befindlichen Gase sind sehr energiereich und reagieren auf der ca. 300 °C heißen Substratoberfläche zu der gewünschten Schicht.