Zur Herstellung von elektrisch leitfähigen Mikrostrukturen wird die Mikrogalvanik in fotolithographisch erzeugten Negativformen eingesetzt. Bei der elektrochemischen Abscheidung werden die in Lösung (Elektrolyt) befindlichen Metallionen durch eine elektrische Spannung zwischen einer metallischen Anode und dem zu beschichtenden leitfähigen Substrat (Kathode) auf dessen Oberfläche abgeschieden. Die zu erzielenden Schichtdicken liegen im Bereich von einigen µm bis mehreren 100 µm. Mittels Mikrogalvanik können Mikrostrukturen mit hohem Aspektverhältnis erzeugt werden.
Dem Institut für Mikrotechnik stehen zwei Prozessanlagen zur Verfügung, in denen Wafer bis zu einer Größe von 4“ partiell oder ganzflächig beschichtet werden können. Die erforderlichen Start- und Haftschichten für nichtleitende Substrate werden im üblichen Materialspektrum mittels PVD-Verfahren aufgebracht. Für die fotolithographisch erzeugten Negativformen kommt üblicherweise ein Positivresist mit gutem Seitenwandprofil zum Einsatz.
Als dauerhafter Aufbau steht eine Kupfergalvanik zur Verfügung. Diese wird häufig eingesetzt, um Leiterbahnen zu erzeugen oder die Kontaktierung von Leiterbahnen zu optimieren. Die zweite Anlage kann je nach Bedarf für bestimmte Metallabscheidungen umgerüstet werden (beispielsweise für Nickel- oder Nickel-Eisenabscheidungen).