Die KOH-Ätzanlage wurde ca. 1995 im Rahmen einer studentischen Arbeit entwickelt und gebaut. Sie besteht aus einem doppelwandigen Quarzglasbehälter, der etwa 8 l Kaliumhydroxid-Lösung (KOH) fasst. Die KOH-Lösung wird über Öl, das sich zwischen den beiden Behälterwänden befindet, auf 80°C erhitzt. Ein Magnetrührer gewährleistet eine homogene Mischung und eine gleichmäßige Strömung. Das verdunstende Wasser, das mit der Zeit zu einer Konzentrationserhöhung der KOH-Lösung führen würde, kondensiert im oberen Behälterbereich an einer passiven Kühleinheit und tropft zurück in die Lösung. Der Behälter wird mit einem Deckel verschlossen, in dem sich eine Durchführung für einen Temperatursensor befindet.
Für die zu ätzenden 4“-Siliziumwafer wurden verschiedene Halterungen beschafft bzw. selbst konstruiert und in der institutseigenen feinwerktechnischen Werkstatt gefertigt. Braucht die Waferrückseite nicht geschützt zu werden, können insgesamt vier Wafer gleichzeitig geätzt werden. Darf nur die zu ätzende Waferseite mit der KOH-Lösung in Kontakt kommen, werden Halter von der Fa. Silicet AG (www.silicet.de) verwendet, von denen maximal 2 in die Ätzanlage passen. Die erzielten Ätzraten liegen im Bereich von 43 µm/h für {100}-Wafer, 100 µm/h für {110}-Wafer und 1,6 µm/h für {111}-Wafer.
