Anodisches Bonden ist ein Verbindungsverfahren, das besonders bei der Herstellung von Sensoren und mikromechanischen Bauelementen der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Anwendung kommt. Es ermöglicht die dauerhafte Verbindung mehrerer Substrate, z.B. Glas und Silizium, miteinander.
Durch das gleichzeitige Aufbringen von mechanischem Druck, einer hohen Temperatur und durch Anlegen einer Spannung kommt es unterhalb der eigentlichen Reaktionstemperatur zu einer irreversiblen chemischen Bindung zwischen dem Silizium des Silizium-Wafers und dem Sauerstoff aus dem Siliziumoxid des Glases. Dieser Vorgang kann in verschiedenen Atmosphären wie Luft, Sticksoff oder Vakuum ausgeführt werden.
Eine Ausrichtung der Substrate unter dem institutseigenen Maskaligner und Überführung in den anodischen Bonder ist durch eine spezielle Substrataufnahme problemlos möglich.
Hersteller
Typ
Max. Substratgröße
Bondspannung
Bondtemperatur
Mechanischer Druck auf Substrate
Gasüberlagerung