Inhalt: Die Vorlesung behandelt die technologischen Grundlagen der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente und Schaltkreise in Silizium und III/V-Halbleitern (Galliumarsenid, Indiumphosphid und Galliumnitrid). Daher werden im Einzelnen die folgenden Themen besprochen:
Prüfung: mündlich
Skript: Skript und Vorlesungsfolien sind über Stud.IP verfügbar.
wird gelesen: jeweils im Sommer-Semester auf Deutsch und im Winter auf Englisch.
Ansprechperson: apl. Prof. Dr.-Ing. Hergo-Heinrich Wehmann / N. N.