Die Sputterdeposition ist ein häufig verwandtes Verfahren zur Dünnschichtherstellung, hauptsächlich in der Halbleiterindustrie und in der Architekturglasbeschichtung.
Die zu beschichtenden Substrate werden in einer Vakuumanlage (meist) unterhalb des so genannten „Targets“ positioniert und die Anlage auf einen Druck von ca. 10-3 mbar gebracht. In einer Argonatmosphäre wird mittels Gleichspannung oder Wechselspannung (ggf. Hochfrequenz) ein Plasma gezündet. Die unterschiedliche Beweglichkeit der im Plasma vorhandenen positiven Ionen und Elektronen bewirkt bei Wechselspannungsanregung eine Aufladung des Targets mit einer negativen Gleichspannung („Selfbias“), bei Gleichspannungsanregung liegt permanent negatives DC-Potential am Target. Durch die vergleichsweise hohe Energie der Ionen die, beschleunigt durch dieses Potential, auf dem Target auftreffen wird, neben einigen anderen Prozessen, das Targetmaterial abgetragen und schlägt sich unter anderem auf den Substraten nieder.
Im Gegensatz zu Verdampfungsprozessen zur metallischen Beschichten von Substraten entstehen beim Sputterprozess üblicherweise keine hohen Temperaturen (das Target und ggf. die Substrate sind gekühlt), der Prozess ist rein mechanisch. Es lassen sich fast beliebige Metalle und Isolatoren (nur mit AC) durch die Sputterdeposition abscheiden.
Im Institut sind zurzeit zwei Anlagen in Betrieb. Zum einen als Standardverfahren zur Dünnschichtherstellung (Sensoren, Kontakte) zum anderen als Versuchsanlage zur Erforschung des Prozesses.