M.Sc. Eike Trumann hat auf der EuroSimE 2025 in Utrecht sein Paper präsentiert, das sich mit den physikalisch basierten Simulationen von Strahlungseffekten auf Logikinverterschaltungen in einem CMOS-Bauelement mit einer Strukturgröße von 180 nm beschäftigt. Das Paper trägt den Titel "TCAD Simulation of Radiation Effects on 180 nm Logic Inverters" und bietet Einblicke in die Auswirkungen von einstrahlenden ionisierenden Partikeln und Verdrängungsbeschädigungen auf diese Schaltungen.
In der Arbeit wurde ein Technologie-Computer-aided-Design (TCAD) Modell mit einem Strahlungsmodell kombiniert, um die Simulation von geladenen Teilchen zu ermöglichen. Für die Simulation von Verdrängungsschäden wurden Protonenenergien zwischen 1 und 10 MeV und Neutronenenergien zwischen 1,6 und 14 MeV bewertet, um die daraus resultierenden Transistorschwellenspannungen zu schätzen.