Die OSRAM Opto Semiconductors GmbH (heute: ams-OSRAM International GmbH) und das Institut für Halbleitertechnik der TU Braunschweig haben Anfang 2014 die bisherige Zusammenarbeit innerhalb zahlreicher Drittmittelprojekte auf eine neue Stufe gehoben. Gemeinsam wurden die Pläne für ein „Epitaxy Competence Center - ec²“ an der TU Braunschweig umgesetzt.
Das ec² als „Gallium Nitride Research Center“ stellt in seinen Forschungskooperationen interessierten Partnern Zugriff auf eine hervorragende Forschungsplattform für GaN-Materialien und Bauelemente zur Verfügung, die dem industriellen Stand der Technik entsprechen. Durch einen systematischen Ausbau nicht nur bezüglich Herstellung (Epitaxie), sondern auch der Infrastruktur für Nanoanalytik und Prozessierung wird das ec² systematisch weiterentwickelt werden.
Das ec² stellt eine Brücke zwischen Grundlagenforschung an Universitäten einerseits und produktorientierter Forschung und Entwicklung in den Unternehmen andererseits dar. Das ec² konnte durch gemeinsame Anstrengungen des Niedersächsischen Ministeriums für Wissenschaft und Kultur, der TU Braunschweig und OSRAM Opto Semiconductors GmbH (heute: ams-OSRAM International GmbH) ins Leben gerufen werden.
Die außergewöhnlich große Bedeutung der GaN-Technologie beruht auf den breiten Anwendungsmöglichkeiten im Bereich Optoelektronik, LED und Lasertechnologien, aber auch Leistungselektronik und Sensorik. All diese Technologien strahlen stark in die Fahrzeugtechnik, den Maschinenbau, in die Medizintechnik und andere Bereiche aus, die traditionell von der deutschen Industrie stark besetzt sind. Es ist deshalb wichtig, dass GaN-Technologie in Deutschland ein starkes Standbein hat. Hierzu möchte das ec² einen Beitrag leisten.
Nicht zuletzt steht das ec² offen für "Young Potentials", die Interesse daran haben, in einem industrienahen Umfeld an einer renommierten deutschen Hochschule zu forschen.