Herstellung von tiefen Quantentöpfen aus GaN und GaInN verschiedener Zusammensetzung
Die mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellten GaInN Quantenfilme zeigen eine Sättigung im Bereich von ca. 30% Indiumeinbau. Darüber hinaus angebotenes Indium wird nicht mehr im gewünschten Bereich eingebaut, sondern im darüber gewachsenen Barrierenmaterial. Zum Vergleich sollen mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) Quantenfilme im Bereich 30% Indiumkonzentration und höher erzeugt werden. Die Wachstumsweise unterscheidet sich von der MOVPE insbesondere in der Bereitstellung des zum Wachstum benötigten Materials. Das Wachstum in der MBE ist grundsätzlich nicht durch eine Temperaturzerlegung begrenzt und die angestrebten Konzentrationen, insbesondere aber auch der Indiumgehalt, können frei durch die Temperatur der Verdampferzellen (Knudsen Zelle) eingestellt werden. Der Mechanismus des Indiumeinbaus bei Überangebot kann hier also systematisch untersucht werden.