Neue Publikation zu Gradienten in dreidimensionalen GaN/InGaN Strukturen

Das Institut für Halbleitertechnik hat seine neusten Ergebnisse der Forschung zu dreidimensionalen Kern-Mantel-Strukturen aus GaN und InGaN veröffentlicht.

 

Die Open Access Publikation ist hier zu finden: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.1c19490?ref=pdf